Nous réalisons des tests sur les packages et interconnexions (back-end composant), afin de répondre à différentes interrogations :
Contrôle de la qualité d’opérations d’assemblage microélectronique : câblage (arrachement de fils / wire pull test), billage (cisaillement de billes flip chip BGA / ball shear test), report puce (arrachement ou cisaillement de puce / die shear test)
Étude de l’impact du vieillissement accéléré sur la perte de résistance mécanique à l’effort (essais de fiabilité en environnements sévères : cyclage thermique, chaleur humide)
Vérification du niveau d’herméticité de packages (capot mince, microcavités…)
Détection de particules internes dans la cavité (PIND test)
Nous menons ces tests et contrôles sur les briques « back-end » de composants électroniques : microcâblage (wedge bonding), microbillage (BGA, ball bonding) et report de puce sur lead-frame (die attach).
Résistance mécanique
Câblage :
Arrachement fils / cisaillement billes BGA (Bond strength / Wire bond shear test : MIL-STD-883 Method 2011.9 ; IEC 60749-22 ; JESD22-B116B)
Report Puce / substrat :
Arrachement puce (Substrate Attach Strength : MIL-STD-883 Method 2027.2)
Cisaillement puce (Die shear strength : MIL-STD-883 Method 2019.9)
Herméticité package
Fines ou larges fuites
(fine / gross leak : MIL-STD 883 Method 1014.15 ; IEC 60749-8)
Microcavités / très fines fuites :
Déflexion membrane / Pénétration N2O (SEMI MS8-0309)
Intégrité interne package
PIND test (MIL-STD 750F Method 2052)
Mesures et tests électriques
Passifs
Condensateurs, résistances, bobines
Électromécaniques
Connecteurs, relais (power), commutateurs (signal)
Composants actifs discrets
Diodes, transistors, AOP
Composants spécifiques
IC, capteurs / MEMS
Facteur de dissipation, tanΔ
Courant de fuite
ESR, courant d’ondulation
Rigidité électrique / tension de claquage (max 12kV)
Résistance de contact, R = f (T°, I)
Conductivité, sigma
Balayage fréquentiel (analyseur de spectre)
Timing / délai de réponse
I-V*
Balayage fréquentiel
SOA, tension de claquage
Continuité
Tests paramétriques
Tests fonctionnels
Full custom (dév banc & instrumentation sur mesure)
[-75°C ; +200°C] pour caractérisation directe (girafes thermiques).
Certaines mesures, notamment sur MEMS, peuvent être menées in-situ, lors d’essais thermiques [-180°C ; +300°C] ou climatiques (max 95% HR, 95°C).
Normes applicables
IEC 60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test Methods
JEDEC JESD22 Solid State Device Environmental Testing
MIL-STD 750F Test methods for semiconductor devices (version F, 11/16)
MIL-STD-883K Test Method standard for microcircuits (version K, 04/16)
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